DMP2104V-7参数:MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: SOT-563PackageTopPCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):860mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):150毫欧@950mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):320pF@16V功率-最大值:170mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-563