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FQP12N60C

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FQP12N60C
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FQP12N60C参数：MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：63nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF@25V
功率-最大值：225W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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