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FQP12P20

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相关型号： FQP12P10 FQP12N60C FQP12N60 FQP11P06 FQP11N50CF FQP11N40C

FQP12P20
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FQP12P20参数：MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：470毫欧@5.75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V
功率-最大值：120W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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