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FQP12P10

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相关型号： FQP12N60C FQP12N60 FQP11P06 FQP11N50CF FQP11N40C FQP11N40

FQP12P10
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FQP12P10参数：MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 5.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V
功率 - 最大值：75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

FQP12P10

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