HCT802

HCT802
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HCT802参数：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：1
系列：-
包装：散装
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：90V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A，1.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：70pF @ 25V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，无引线
供应商器件封装：6-SMD