HCT802参数：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：90V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A，1.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：70pF @ 25V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：6-SMD，无引线供应商器件封装：6-SMD