IPG20N06S4L-26

IPG20N06S2L-35
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IPG20N06S2L-35参数：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V
功率 - 最大值：65W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）