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IRF6655TR1PBF

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IRF6655TR1PBF
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IRF6655TR1PBF参数：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF6655TR1PBFSaberModel IRF6655TR1PBFSpiceModel
标准包装：1,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：62毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.8V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.7nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：530pF@25V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容SH
供应商器件封装：DIRECTFET?SH

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