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IRF7663

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IRF7663TRPBF 优势库存
IR
MSOP8
2023+
13350
全新原厂原装现货
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TSSOP-8
2023+
6352
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MSOP-8
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Infineon Techn..
Micro8?
2023+
500
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Infineon Techn..
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2023+
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Micro8?
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IRF7663
IOR
MSOP-8P
2023+
4057
全新进口原装现货,特价热卖
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IRF7663TR
IOR
SSOP8
2023+
18557
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IRF7663PBF
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MICRO8
2023+
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原厂原装,保证质量
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IRF7663TR
InternationalR..
8-TSSOP,8-MS..
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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1250
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Micro8trade
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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Micro8trade
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6000
品质保证,价格优惠
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IRF7663TRPBF
IOR
SOP-8
2023+
38557
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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IRF7663
IOR
MSOP-8P
2023+
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全新原装正品特价优惠
IRF7663TR
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原厂原包装
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全新原装正品特价优惠
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原厂原包装
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全新原装现货，特价热卖
IRF7663TRPBF
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进口原装 库房现货
2023+
5600
IRF7663TRPBF
IOR
S0P/8
2023+
14566
原装现货，假一赔十
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TSSOP-8
2023+
14566
原装现货，假一赔十
相关型号： IRF7607TRPBF IRF7607 IRF7606TRPBF IRF7606TR IRF7604TRPBF IRF7604TR

IRF7663TR
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IRF7663TR参数：MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2520pF@10V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
供应商器件封装：Micro8?

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