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IRLMS5703

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相关型号： IRLMS4502TR IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TR IRLMS2002GTRPBF IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TR

IRLMS5703TR
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IRLMS5703TR参数：MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRLMS5703TRSaberModel IRLMS5703TRSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@25V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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