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IRLMS6702TRPBF

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IRLMS6702TRPBF
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IRLMS6702TRPBF参数：MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLMS6702TRSaberModel IRLMS6702TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@1.6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：210pF@15V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

IRLMS6702TRPBF

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