IXGT45N120

IXGT45N120
PDF资料下载

IXGT45N120参数：IGBT 1200V 75A 300W TO268

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，45A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：180A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：14mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：170nC
Td (on/off) A 25°C：55ns/370ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-268