IXGT50N60C2参数：IGBT 600V 75A TO-268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：HiPerFAST™包装：管件IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，40A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：300A功率 - 最大值：400WSwitching Energy：380µJ（关）输入类型：标准Gate Charge：138nCTd (on/off) A 25°C：18ns/115nsTest Condition：480V，40A，2 欧姆，15V反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
