IXGT50N60B参数：IGBT 600V 75A TO-268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：HiPerFAST™, Lightspeed 2™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.3V @ 15V，50A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：200A功率 - 最大值：300WSwitching Energy：3mJ（关）输入类型：标准Gate Charge：160nCTd (on/off) A 25°C：50ns/150nsTest Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
