MMBFJ175LT1参数：JFET SS P-CHAN 25V SOT23
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：7mA@15V漏源极电压(Vdss)：-漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：P沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：30V不同Id时的电压-截止（VGS关）：3V@10nA不同Vds时的输入电容(Ciss)：11pF@10V（VGS）电阻-RDS（开）：125欧姆安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）功率-最大值：225mW
