MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G
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MMBFJ175LT1G参数：JFET SS P-CHAN 25V SOT23

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：7mA@15V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：-
FET类型：P沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：30V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：3V@10nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：11pF@10V（VGS）
电阻-RDS（开）：125欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值：225mW