MMDF3N04HDR2参数：MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：10系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@3.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@32V功率-最大值：1.39W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
