NTZD3156CT5G参数:MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告: ProductObsolescence07/Jul/2010标准包装:4,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):540mA,430mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):550毫欧@540mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):2.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):72pF@16V功率-最大值:250mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-563