NTZD5110NT5G参数：MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：294mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.6欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：24.5pF@20V功率-最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
