NTZS3151PT1G参数：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：860mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 950mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：458pF @ 16V功率 - 最大值：170mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
