NTZS3151PT5G参数:MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation04/April/2008标准包装:8,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):860mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):150毫欧@950mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):458pF@16V功率-最大值:170mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-563