NTZD5110NT1G参数:MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:4,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):294mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):24.5pF @ 20V功率 - 最大值:250mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:SOT-563