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STF11NM60N

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STF11NM60N 优势库存
ST
TO-220F
2023+
14850
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TO-220F
2023+
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TO-220FP
2023+
6000
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TO-220-3（）
2023+
284
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STF11NM60N
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TO-220-3
2023+
2845
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TO-220FP
2023+
1250
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STF11NM60ND
ST MICRO
2023+
1,000
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10000
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QFN-8
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2023+
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相关型号： STF11NM50N STF11N65M5 STF11N65K3 STF11N52K3 STF10NM65N STF10NM60ND

STF11NM60N
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STF11NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：850pF @ 50V
功率 - 最大值：25W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FP

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