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STF11NM60ND

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STF11NM60ND
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STF11NM60ND参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STF11NM60NDViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：FDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@50V
功率-最大值：25W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220FP

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