STF11NM80参数：MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STF11NM80ViewAllSpecifications标准包装：50系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：43.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220FP
STTO2202023+5510全新原厂原装现货
