STF11NM80FP

STF11NM80
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STF11NM80参数：MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STF11NM80ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@5.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：43.6nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1630pF@25V
功率-最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220FP