STL11N3LLH6参数：MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL11N3LLH6ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1690pF@25V功率-最大值：50W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）
