STN3PF06参数：MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STN3PF06ViewAllSpecifications标准包装：4,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@1.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
