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STN3PF06

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STN3PF06
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STN3PF06参数：MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STN3PF06ViewAllSpecifications
标准包装：4,000
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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