STN3PF06参数:MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STN3PF06ViewAllSpecifications标准包装:4,000系列:STripFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):220毫欧@1.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):21nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):850pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223