STN3P6F6参数：MOSF P CH 60V 3A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STN3P6F6ViewAllSpecifications标准包装：4,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@1.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：344pF@48V功率-最大值：2.6W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
