STQ1HN60K3-AP参数：MOSFET N CH 600V 400MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：SuperMESH3™包装：带盒（TB）FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：400mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 600mA， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 50V功率 - 最大值：3W安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92
