US6M11TR参数：MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V，12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A，1.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：110pF @ 10V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：UMT6
