US6M1TR参数：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： MOSFETs产品目录绘图： TUMT-6PackageTop特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V，20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A，1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：240毫欧@1.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：70pF@10V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：TUMT6
