FDFMA2P853T参数:MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices11/Mar/2013标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:二极管(隔离式)漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):120毫欧@3A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):435pF@10V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)