首页 > IC > F-324页 >

FDFMA3N109

供应查询

您是不是要找：FDFMC2P120 FDFME2P823ZT FDFME3N311ZT FDFMJ2P023Z FDFMR2P853

FDFMA3N109

onsemi

6-MicroFET（2..

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

FDFMA3N109

FAIRCHILD

MLP-6

2023+

2278

全新进口原装现货,保证质量

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

FDFMA3N109

FairchildSemic..

6-MLP,6-Micr..

2023+

1250

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

FDFMA3N109

FairchildSemic..

6-MLP,6-Micr..

2023+

6000

品质保证,价格优惠

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

相关型号： FDFMA2P859T FDFMA2P857 FDFMA2P853T FDFMA2P853 FDFMA2P029Z FDFMA2N028Z

FDFMA3N109
PDF资料下载

FDFMA3N109参数：MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：123毫欧@2.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：220pF@15V
功率-最大值：650mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）

FDFMA3N109

document.write('<a href=http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMA3N109.pdf rel=nofollow class=tit target="_blank">')FDFMA3N109PDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

FDFMA3N109
PDF资料下载