FDFMJ2P023Z参数：MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：112毫欧@2.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@10V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-MLP
