FDFM2N111参数：MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：273pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：6-MLP，Power33供应商器件封装：MicroFET3x3mm
