FDFMA2P859T参数：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：435pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-MicroFET（2x5）
